图：香港首条超高真空“第三代半导体氮化镓外延片中试线”，明年可望实现通线。

 

　　【大公报讯】记者郭如佳报道：香港科技园与麻省光子技术合作的香港首条超高真空“第三代半导体氮化镓外延片中试线”正在推进，据了解，该项目明年可望实现通线，为香港半导体制造产业链提供关键的技术支撑。这对推动香港微电子产业发展，进一步完善本港创科生态圈有重要意义。

　　在去年的启动仪式上，麻省光子技术（香港）有限公司行政总裁廖翊韬表示，公司计划于科学园设立全港首个第三代半导体氮化镓外延工艺全球研发中心，以及于创新园开设首条超高真空量产型氮化镓外延片中试线，预计将在香港投资至少二亿港元及设立研发团队，带动整个第三代半导体产业链布局。

　　廖翊韬提到，公司计划入驻香港科学园微电子中心，建设香港首条八吋氮化镓外延片的研发中试产线，希望通过新产品的中试研发和孵化，建立前沿、完整的超高真空氮化镓外延技术和产品专利包，三年内完成中试并启动在香港的氮化镓外延量产的产线建设，实现年产一万片八吋氮化镓晶圆产能，将香港制造的外延片产品推向全球市场。

　　在香港特别行政区政府公布的《香港创新科技发展蓝图》，其中一个发展方向为完善创科生态圈，推进香港“新型工业化”，而政府会大力支持先进制造产业，包括半导体产业在港设立或扩展先进制造生产线。

　　据创科局局长孙东介绍，特区政府正以产业导向为原则，积极推进微电子产业发展。香港将设立碳化矽和氮化镓两条中试线，协助初创、中小企业进行试产、测试和认证，促进产、学、研在第三代半导体核心技术上的合作。

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